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用EUV造内存

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阅读次数 48      发表日期 2020-9-2 13:38
EUV(极紫外光刻),它原本是用于生产7nm或更先进制程工艺的技术,特别是在5nm→3nm这个关键制程节点上,没有EUV,依靠现有的DUV(深紫外光刻)是玩不转的。
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有意思的是,三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合,用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。
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据悉,三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级(1z)工艺打造,请注意16Gb容量的后缀,是Gb而不是GB,16Gb对应的其实是2GB。
基于1z nm EUV工艺打造的16Gb LPDDR5内存芯片已经达成了业内当前的最高容量和最佳性能,其带宽速度为6400Mbps(也可以理解为6400MHz),比现在最快的12Gb(1.5GB)LPDDR5-5500快了16%。
除了速度更快,1z nm EUV工艺还让内存芯片的厚度较上代(1y nm)薄了大约30%。
可能很多小伙伴还不太了解手机内存芯片变薄的意义。手机内存和PC内存条不一样,目前PC领域的内存颗粒多以10nm工艺的8Gb为主,即单颗1GB的容量。无论是台式机内存还是笔记本内存,想达成单条16GB的目标,需要在PCB主板正反共集成16颗8Gb颗粒。
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台式机内存
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笔记本内存
手机和PC的最大差异是,前者的整套主板都没有笔记本内存条的PCB主板大,能留给内存的空间只够焊上一颗内存颗粒。
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因此,手机内存只能采用更加节省空间的PoP(Package on Package)封装技术,翻译过来就是元件堆叠装配技术,我们可以将它理解为叠罗汉,即将多颗内存芯片摞在一起,和现在SSD领域的3D堆叠技术很像。比如,手机圈现有的12GB内存,其实就是由8片12Gb的内存芯片“打包”封装的。在1z nm EUV工艺出现前,16GB手机内存则是由12GB(8×12Gb)+4GB(4×8Gb)内存模块组成的。
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因此,1z nm EUV提升了单颗内存芯片的容量,还减少了厚度,可以由更少的内存芯片组成16GB容量,还能进一步减少内存模块对手机内部空间的占用,优势多多。
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对了,如果你拆开手机,一般是看不到SoC(处理器)芯片的,因为这颗芯片通常都藏在了内存芯片的下方,它们也是PoP封装摞在一起的。这种堆叠封装可以缩短处理器和内存之间的金属引线,可有效降低线路噪音、访问延迟、电力损耗,还能进一步节省主板空间。
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需要注意的是,虽然1z nm EUV LPDDR5内存拥有6400MHz的频率,但现有的SoC却都还无法享用它,因为截至目前只有骁龙865支持LPDDR5,而且还仅支持到LPDDR5-5500。如果不出意外,明年上市的骁龙875应该将支持LPDDR5-6400。
来源:CFAN


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